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高盛於長鑫科技正式上市前夕召開專家會議，預測中國DRAM產能將於未來數年快速擴張，並受惠於AI需求推動的半導體設備國產化進程。

長鑫科技IPO與DRAM產能預測

中國記憶體製造龍頭長鑫科技即將進行首次公開募股（IPO），此舉引發國際投資銀行高盛（Goldman Sachs）高度關注。高盛專家在上市前的緊急會議中指出，隨著全球記憶體市場需求的變動，中國境內的DRAM產能預計在未來幾年內將迎來大幅度的擴張期。

儘管長鑫科技在技術領先地位上仍面臨挑戰，目前在高頻寬記憶體（HBM）技術的發展上，相較於國際巨頭三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK hynix）仍存在技術差距，但市場焦點正轉向產能規模與供應鏈自主化。

AI需求帶動記憶體景氣循環

隨著人工智慧（AI）技術的爆發式成長，全球對高性能記憶體的需求持續攀升，這不僅推升了整體記憶體產業的景氣，也為中國半導體產業提供了加速發展的契機。AI算力的提升直接帶動了對記憶體容量與頻寬的要求，使得DRAM成為AI伺服器鏈中的關鍵零組件。

高盛分析指出，AI需求的增長正形成雙重驅動力：一方面是提升記憶體市場的整體需求量，另一方面則是迫使中國半導體產業必須加快技術迭代，以應對全球供應鏈的變動。

半導體設備國產化趨勢加速

在長鑫科技擴產的預期下，中國半導體產業的「國產化」進程已成為投資市場的新主線。為了降低對海外技術的依賴，中國製造商正積極轉向本土設備供應商採購，這將直接利好相關設備廠商。

受惠於此趨勢的關鍵企業包括：

• 北方華創：在半導體製程設備領域具備重要地位。
• 中微公司：專注於刻蝕設備等核心製程技術。

隨著本土記憶體廠擴張產能，這些設備供應商的訂單能見度有望提升，成為半導體供應鏈中極具潛力的成長動能。